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ASI10616

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.500 INCH, FM-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小16KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ASI10616概述

RF Power Field-Effect Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.500 INCH, FM-4

ASI10616规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小漏源击穿电压65 V
最大漏极电流 (ID)16 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRFM-F4
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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