Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HM62W8511HCLJPI-12

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HM62W8511HCLJPI-12: 产品描述512KX8 CACHE SRAM, 12ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36; 产品类别存储存储; 文件大小81KB，共13页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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HM62W8511HCLJPI-12概述

512KX8 CACHE SRAM, 12ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36

HM62W8511HCLJPI-12规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ,
针数	36
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J36
长度	23.25 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	36
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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HM62W8511HCI Series

Wide Temperature Range Version

4M High Speed SRAM (512-kword

8-bit)

ADE-203-1283 (Z)

Preliminary

Rev. 0.0

Jul. 13, 2001

Description

The HM62W8511HCI is a 4-Mbit high speed static RAM organized 512-kword

8-bit. It has realized high

speed access time by employing CMOS process (6-transistor memory cell) and high speed circuit designing

technology. It is most appropriate for the application which requires high speed, high density memory and

wide bit width configuration, such as cache and buffer memory in system. The HM62W8511HCI is packaged

in 400-mil 36-pin SOJ for high density surface mounting.

Features

•

Single supply : 3.3 V ± 0.3 V

•

Access time : 12 ns (max)

•

Completely static memory



No clock or timing strobe required

•

Equal access and cycle times

•

Directly TTL compatible



All inputs and outputs

•

Operating current : 100 mA (max)

•

TTL standby current : 40 mA (max)

•

CMOS standby current : 5 mA (max)

: 1 mA (max) (L-version)

•

Data retension current : 0.6 mA (max) (L-version)

•

Data retension voltage : 2 V (min) (L-version)

•

Center V

and V

type pinout

•

Tempreature rang : –40 to +85°C

Preliminary: The specification of this device are subject to change without notice. Please contact your

nearest Hitachi’s Sales Dept. regarding specification.

HM62W8511HCLJPI-12相似产品对比

	HM62W8511HCLJPI-12
描述	512KX8 CACHE SRAM, 12ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ,
针数	36
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J36
长度	23.25 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	36
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
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