Standard SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| 零件包装代码 | QFP |
| 包装说明 | TQFP-100 |
| 针数 | 100 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 12 ns |
| 其他特性 | BURST COUNTER; BYTE WRITE CONTROL; SELF TIMED REGISTER |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 40 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20.05 mm |
| 内存密度 | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 36 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 100 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX36 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LQFP |
| 封装等效代码 | QFP100,.7X.9 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm |
| 最大待机电流 | 0.002 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.225 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| MT58LC32K36C4LG-12 | MT58LC32K36C4LG-15 | MT58LC32K36C4LG-10 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | Standard SRAM, 32KX36, 15ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | Standard SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QFP | QFP | QFP |
| 包装说明 | TQFP-100 | TQFP-100 | TQFP-100 |
| 针数 | 100 | 100 | 100 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 12 ns | 15 ns | 10 ns |
| 其他特性 | BURST COUNTER; BYTE WRITE CONTROL; SELF TIMED REGISTER | BURST COUNTER; BYTE WRITE CONTROL; SELF TIMED REGISTER | BURST COUNTER; BYTE WRITE CONTROL; SELF TIMED REGISTER |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 40 MHz | 33 MHz | 50 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 20.05 mm | 20.05 mm | 20.05 mm |
| 内存密度 | 1179648 bit | 1179648 bit | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 36 | 36 | 36 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 100 | 100 | 100 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 32KX36 | 32KX36 | 32KX36 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LQFP | LQFP | LQFP |
| 封装等效代码 | QFP100,.7X.9 | QFP100,.7X.9 | QFP100,.7X.9 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm | 1.6 mm | 1.6 mm |
| 最大待机电流 | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.225 mA | 0.2 mA | 0.25 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V | 3.465 V | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
| 厂商名称 | Micron Technology | - | Micron Technology |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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