电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HM5116400BS-8

产品描述Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
产品类别存储    存储   
文件大小412KB,共25页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 全文预览

HM5116400BS-8概述

Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

HM5116400BS-8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ24/26,.34
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J24
JESD-609代码e0
长度16.9 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ24/26,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度3.76 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
HM5116400B Series
4,194,304-word
×
4-bit Dynamic Random Access Memory
ADE-203-367A (Z)
Rev. 1.0
Nov. 2, 1995
Description
The Hitachi HM5116400B is a CMOS dynamic RAM organized 4,194,304-word
×
4-bit. It employs the most
advanced CMOS technology for high performance and low power. The HM5116400B offers Fast Page Mode
as a high speed access mode.
Features
Single 5 V (±10%)
High speed
Access time : 60 ns/ 70 ns/ 80 ns (max)
Low power dissipation
Active mode : 440 mW/385 mW/358 mW (max)
Standby mode : 11 mW (max)
: 0.83 mW (max) (L-version)
Fast page mode capability
Long refresh period
4096 refresh cycles : 64 ms
: 128 ms (L-version)
3 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
Hidden refresh
Battery backup operation (L-version)
Test function
16-bit parallel test mode
This specification is fully compatible with the 16-Mbit DRAM specifications from TEXAS INSTRUMENTS.
f2812用比较单元实现pwm波输出问题,请帮忙??
我用f2812的比较单元实现pwm输出有问题,我的对寄存器初始化代码如下面所示,这里我采用比较单元输出pwm波的同时,也采用了通用定时器1的比较输出,在运行程序时,通用定时器的比较输出是正 ......
tosstaryt 微控制器 MCU
求教,开始写第一个驱动程序。
看书很久了,现在想开始写第一个驱动程序,但有些疑惑请教各位: 要求功能:通过应用程序控制68013上的PA,PB等I/O口。 这样是不是还要编写固件,设备驱动程序和测试程序? 这样的I/O口操作 ......
傻砖头 嵌入式系统
关于Apple Pay,你不得不知道的5件事
一大早就被Apple Pay的消息铺天盖地的砸晕了,赶紧看看手机怎么设置,无奈最后把使用地区改成美国才看到,听说国内用户太多,苹果会分批推送功能更新。如果大家遇到 Apple Pay 无法添加卡的问题 ......
赵玉田 消费电子
WINCE6 虚拟机启动时报Jumping to 0x00224cb0
开发环境为:VS2005 + WINCE 6.0 CPU: X86 设备类型为 PDA 或者 custom device 未增删任何代码,用OS 生成向导生成后,直接编译、链接生成NK.BIN 文件,然后用MS_DOS引导启动虚拟机,然后就 ......
wy_2001317 嵌入式系统
板子不一样的问题
最近我在听郭天翔的版本,但是我买了快51/avr的板子。。。好多东西都不一样,流水灯和数码管我算是搞出来了,也了解了下了,但是最近在中断那郁闷了,完全搞不懂哪里的问题了,那电路图原理我搞 ......
hahatoday 嵌入式系统
复旦Nios教材
复旦Nios教材...
呱呱 单片机

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1278  792  2627  1287  2434  32  57  11  12  26 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved