Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYMD525G726BS4M-K

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HYMD525G726BS4M-K: 产品描述DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184; 产品类别存储存储; 文件大小217KB，共18页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HYMD525G726BS4M-K概述

DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184

HYMD525G726BS4M-K规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184
针数	184
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
内存密度	9663676416 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.81 A
最大压摆率	8.21 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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184pin Registered DDR SDRAM DIMMs based on 512Mb B ver. (TSOP)

This Hynix Registered Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 512Mb B ver. DDR SDRAMs in 400mil.

TSOP II packages on a 184pin glass-epoxy substrate. This Hynix 512Mb B ver. based Registered DIMM series provide

a high performance 8-byte interface in 5.25" width form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange

and addition.

FEATURES

•

JEDEC Standard 184-pin dual in-line memory module

(DIMM)

Two ranks 256M x 72 organization

Error Check Correction (ECC) Capability

2.5V

0.2V VDD and VDDQ Power supply for

DDR333 and below

All inputs and outputs are compatible with SSTL_2

interface

Fully differential clock operations (CK & /CK) with

100/133 MHz

DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

Programmable CAS Latency: DDR200(2 clock),

DDR266(2, 2.5 clock)

•

Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

Edge-aligned DQS with data outs and Center-aligned

DQS with data inputs

Auto refresh and self refresh supported

8192refresh cycles / 64ms

Serial Presence Detect (SPD) with EEPROM

Built with 512Mb DDR SDRAMs in 400 mil TSOP II

packages

Lead-free product listed for each configuration

(RoHS compliant)

ADDRESS TABLE

Organization

2GB

128M x 72

Ranks

SDRAMs

128Mb x 4 (Stacked)

# of

DRAMs

# of row/bank/column Address

13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/12(A0~A9,A11,A12)

Refresh

Method

8K / 64ms

PREFORMANCE

Part-Number Suffix

Speed Bin

CL - tRCD- tRP

CL=3

Max Clock

Frequency

CL=2.5

CL=2

-K

DDR266A

2-3-3

133

-H

DDR266B

2.5-3-3

133

-L

DDR200

2-2-2

100

Unit

MHz

Rev. 1.1 / May. 2005

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

HYMD525G726BS4M-K相似产品对比

	HYMD525G726BS4M-K	HYMD525G726BSP4-K	HYMD525G726BSP4-H	HYMD525G726BSP4M-K	HYMD525G726BSP4M-H
描述	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
针数	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	9663676416 bit	9663676416 bit	9663676416 bit	9663676416 bit	9663676416 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72	72
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	184	184	184	184	184
字数	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words
字数代码	128000000	128000000	128000000	128000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128MX72	128MX72	128MX72	128MX72	128MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	260	260	260
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.81 A	0.81 A	0.81 A	0.81 A	0.81 A
最大压摆率	8.21 mA	8.21 mA	8.21 mA	8.21 mA	8.21 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	20	20	20	20
Base Number Matches	1	1	1	1	1

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