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1N3296

产品描述100 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小79KB,共1页
制造商Naina Semiconductor
官网地址http://www.nainasemi.com
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1N3296概述

100 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA

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1N3288-1N3297
SILICON POWER DIODE
DO - 8
FEATURES
• Diffused Series
• Available in Normal & Reverse Polarity
• Industrial Grade
• Available In Avalanche Characteristic
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
I
F
V
FM
I
FSM
I
FRM
I
2
t
Maximum Average Forward
Current Te=125
0
C
Maximum peak forward
voltage drop @ Rated IF(AV)
Maximum peak one cycle
(non-rep) surge current 10 m sec
Maximum peak repetitive
surge current
Maximum I
2
t rating (non-rep.) for
5 to 10 msec.
100A
1.5V
2200A
500 A
24000 A
2
Sec
NAINA
THERMAL MECHANICAL SPECIFICATIONS
θ
JC
Tj
Tstg
W
Maximum thermal resistance Junction to case
Operating Junction Temp.
Storage temperature
Mounting torque
(Non-lubricated threads)
Approx, weight
0.40
0
C/W
-65
0
C to 150
0
C
-65
0
C to 200
0
C
2.0 M-kg min,
3.0 M-kg max
150 gms.
ELECTRICAL RATINGS
TYPE
V
RRM
Max. repetitive peak reverse
voltage (v)
V
R
(RMS)
V
R
Max. R.M.S. reverse voltage(V)
Max. D.C. Blocking Voltage (V)
1N32881N3289 1N32901N3291 1N3292 1N3293
1N32941N3295IN3296
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
500
350
500
600
420
600
800
560
800
320
200
1000 1200
700
840
1000 1200
400
200
480
200
I
R
(AV)
Recommended R.M.S. working
40
80
120 160
200
240
Voltage(v)
Max. Average reverse leakage
200
200 200 200
200
200
current @ VRRM Tc 25
0
C (uA)
NAINA SEMICONDUCTOR LTD.,
D-95 ,SECTOR -63 NOIDA(INDIA)
e-mail:sales@nainasemi.com, web site: www.nainasemi.com

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描述 100 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA 100 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA 100 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA 100 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-8 100 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA 100 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-8 100 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-8 100 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-8 100 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-8 100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA
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