AND-OR GATE
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 包装说明 | DIP-16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 其他特性 | LG-MAX |
| 系列 | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | AND-OR GATE |
| 功能数量 | 4 |
| 输入次数 | 2 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3/15 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 300 ns |
| 传播延迟（tpd） | 300 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 5.1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| HCF4019BE | HCF4019BF | HCF4019BM | |
|---|---|---|---|
| 描述 | AND-OR GATE | 4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT AND-OR GATE, CDIP16, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-16 | AND-OR GATE |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 包装说明 | DIP-16 | FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-16 | SOP-16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 其他特性 | LG-MAX | LG_MAX | LG-MAX; WD-MAX |
| 系列 | 4000/14000/40000 | 4000/14000/40000 | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | R-GDIP-T16 | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 20 mm | 20 mm | 10.16 mm |
| 逻辑集成电路类型 | AND-OR GATE | AND-OR GATE | AND-OR GATE |
| 功能数量 | 4 | 4 | 4 |
| 输入次数 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 传播延迟（tpd） | 300 ns | 300 ns | 300 ns |
| 座面最大高度 | 5.1 mm | 5 mm | 2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 4.5 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 负载电容（CL） | 50 pF | - | 50 pF |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | - | SOP16,.25 |
| 电源 | 3/15 V | - | 3/15 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 300 ns | - | 300 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | - | NO |
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