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HMT112S6AFR6C-S5T0

产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, 0.4ns, CMOS, PDMA204
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文件大小1MB,共49页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HMT112S6AFR6C-S5T0概述

DDR DRAM Module, 128MX64, 0.4ns, CMOS, PDMA204

HMT112S6AFR6C-S5T0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
包装说明DIMM, DIMM204,24
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)400 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N204
内存密度8589934592 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
端子数量204
字数134217728 words
字数代码128000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织128MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM204,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
最大待机电流0.08 A
最大压摆率1.5 mA
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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