Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYS64D64000HU-7-A

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HYS64D64000HU-7-A: 产品描述DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184; 产品类别存储存储; 文件大小302KB，共18页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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HYS64D64000HU-7-A概述

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184

HYS64D64000HU-7-A规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM,
针数	184
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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HYS64/72D64000/128020GU-7/8-A

Unbuffered DDR-I SDRAM-Modules

2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules

512 MByte & 1024 MByte Modules

PC1600, PC2100 & PC2700

Preliminary datasheet rev. 0.81

• 184-pin Unbuffered 8-Byte Dual-In-Line

DDR-I SDRAM non-parity and ECC-Modules

for PC and Server main memory applications

• One bank 64M x 64, 64M x 72 and two bank

128M x 64, 128M

72 organization

• JEDEC standard Double Data Rate

Synchronous DRAMs (DDR-I SDRAM)

Single + 2.5 V (

0.2 V) power supply

• Built with 512 Mbit DDR-I SDRAMs organized

as 64Mb x 8 in 66-Lead TSOPII package

• Programmable CAS Latency, Burst Length,

and Wrap Sequence (Sequential &

Interleave)

• Performance:

-6

Component Speed Grade

Module Speed Grade

• Auto Refresh (CBR) and Self Refresh

• All inputs and outputs SSTL_2 compatible

• Serial Presence Detect with E

PROM

• Jedec standard MO-206 form factor:

133.35 mm

31.75 mm

4.00 mm max.

• Jedec standard reference layout

• Gold plated contacts

-7

PC2100

143

133

-8

PC1600

125

100

Unit

DDR333B DDR266A DDR200

PC2700

166

133

MHz

Clock Frequency (max.) @ CL = 2.5

Clock Frequency (max.) @ CL = 2

The HYS64/72D64000GU and HYS64/72D128020GU are industry standard 184-pin 8-byte Dual

in-line Memory Modules (DIMMs) organized as 64M

64 and 128M

64 for non-parity and 64M x

72 and 128M x 72 for ECC main memory applications. The memory array is designed with 512Mbit

Double Data Rate Synchronous DRAMs. A variety of decoupling capacitors are mounted on the PC

board. The DIMMs feature serial presence detect based on a serial E

PROM device using the 2-pin

C protocol. The first 128 bytes are programmed with configuration data and the second 128 bytes

are available to the customer.

INFINEON Technologies

2002-09-10 (rev.0.81)

HYS64D64000HU-7-A相似产品对比

	HYS64D64000HU-7-A	HYS72D64000HU-7-A	HYS64D128020HU-8-A	HYS72D128320HU-6-A	HYS64D128320HU-6-A	HYS72D64000HU-8-A	HYS72D128020HU-8-A
描述	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,
针数	184	184	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.8 ns	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	4294967296 bit	4831838208 bit	8589934592 bit	9663676416 bit	8589934592 bit	4831838208 bit	9663676416 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	72	64	72	64	72	72
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	184	184	184	184	184	184	184
字数	67108864 words	67108864 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	67108864 words	134217728 words
字数代码	64000000	64000000	128000000	128000000	128000000	64000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64MX64	64MX72	128MX64	128MX72	128MX64	64MX72	128MX72
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
是否无铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	-	-	不含铅
厂商名称	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)

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