Dual-Port SRAM, 32KX18, 6ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA208,17X17,32 |
| 针数 | 208 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 6 ns |
| 其他特性 | PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 83 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B208 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 15 mm |
| 内存密度 | 589824 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 208 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 32KX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA208,17X17,32 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.03 A |
| 最小待机电流 | 3.15 V |
| 最大压摆率 | 0.36 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 15 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| IDT70V3379S6BFI | IDT70V3379S6PRFI | IDT70V3379S4PRFI | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Dual-Port SRAM, 32KX18, 6ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208 | Dual-Port SRAM, 32KX18, 6ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128 | Dual-Port SRAM, 32KX18, 4.2ns, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | BGA | QFP | QFP |
| 包装说明 | TFBGA, BGA208,17X17,32 | LFQFP, QFP128,.63X.87,20 | PLASTIC, TQFP-128 |
| 针数 | 208 | 128 | 128 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 6 ns | 6 ns | 4.2 ns |
| 其他特性 | PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE | PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE | PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B208 | R-PQFP-G128 | R-PQFP-G128 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 15 mm | 20 mm | 20 mm |
| 内存密度 | 589824 bit | 589824 bit | 589824 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 18 | 18 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 208 | 128 | 128 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 32KX18 | 32KX18 | 32KX18 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA | LFQFP | LFQFP |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 240 | 240 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.6 mm | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V | 3.45 V | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V | 3.15 V | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) | Tin/Lead (Sn85Pb15) | TIN LEAD |
| 端子形式 | BALL | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | 20 | 20 |
| 宽度 | 15 mm | 14 mm | 14 mm |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 83 MHz | 83 MHz | - |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | - |
| 端口数量 | 2 | 2 | - |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - |
| 封装等效代码 | BGA208,17X17,32 | QFP128,.63X.87,20 | - |
| 电源 | 2.5/3.3,3.3 V | 2.5/3.3,3.3 V | - |
| 最大待机电流 | 0.03 A | 0.03 A | - |
| 最小待机电流 | 3.15 V | 3.15 V | - |
| 最大压摆率 | 0.36 mA | 0.36 mA | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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