IS43LR32160B-6BL-TR,IS43LR32160B-6BL-TR pdf中文资料,IS43LR32160B-6BL-TR引脚图,IS43LR32160B-6BL-TR电路-Datasheet-电子工程世界

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IS43LR32160B-6BL-TR: 产品描述DDR DRAM, 16MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90,; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共44页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS43LR32160B-6BL-TR概述

DDR DRAM, 16MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90,

IS43LR32160B-6BL-TR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	FBGA, BGA90,9X15,32
Reach Compliance Code	compliant
Factory Lead Time	12 weeks
最长访问时间	5.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8,16
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	32
端子数量	90
字数	16777216 words
字数代码	16000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
连续突发长度	2,4,8,16
最大待机电流	0.00001 A
最大压摆率	0.13 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
Base Number Matches	1

IS43LR32160B-6BL-TR相似产品对比

	IS43LR32160B-6BL-TR	IS43LR32160B-6BLI-TR	IS46LR32160B-6BLA1	IS46LR32160B-6BLA1-TR	IS46LR32160B-6BLA2
描述	DDR DRAM, 16MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90,	DDR DRAM, 16MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90,	DDR DRAM, 16MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, MO-207, FBGA-90	DDR DRAM, 16MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90,	DDR DRAM, 16MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, MO-207, FBGA-90
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	FBGA, BGA90,9X15,32	FBGA, BGA90,9X15,32	TFBGA, BGA90,9X15,32	FBGA, BGA90,9X15,32	TFBGA, BGA90,9X15,32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
Factory Lead Time	12 weeks	12 weeks	12 weeks	12 weeks	12 weeks
最长访问时间	5.5 ns	5.5 ns	5.5 ns	5.5 ns	5.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	166 MHz	166 MHz	166 MHz	166 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16
JESD-30 代码	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32
端子数量	90	90	90	90	90
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	105 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA	FBGA	TFBGA	FBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192
连续突发长度	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16	2,4,8,16
最大待机电流	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A
最大压摆率	0.13 mA	0.13 mA	0.13 mA	0.13 mA	0.13 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM

IS43LR32160B-6BL-TR

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