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SMCJ10E3TR

产品描述1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小199KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准  
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SMCJ10E3TR概述

1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN

SMCJ10E3TR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-J2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大击穿电压13.6 V
最小击穿电压11.1 V
击穿电压标称值12.35 V
最大钳位电压18.8 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-J2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.56 W
最大重复峰值反向电压10 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式J BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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