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BAR9002LSE6327XTSA1

产品描述Pin Diode, 80V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, TSLP-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小638KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BAR9002LSE6327XTSA1概述

Pin Diode, 80V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, TSLP-2

BAR9002LSE6327XTSA1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明R-XBCC-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用SWITCHING
最小击穿电压80 V
配置SINGLE
最大二极管电容0.35 pF
二极管元件材料SILICON
最大二极管正向电阻2.3 Ω
二极管类型PIN DIODE
频带L BAND
JESD-30 代码R-XBCC-N2
少数载流子标称寿命0.75 µs
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
最大功率耗散0.15 W
表面贴装YES
技术POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
Base Number Matches1

BAR9002LSE6327XTSA1相似产品对比

BAR9002LSE6327XTSA1 BAR90098LRHE6327XTSA1 BAR9002LRHE6327XTSA1
描述 Pin Diode, 80V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, TSLP-2 Pin Diode, Pin Diode, 80V V(BR), Silicon, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, TSLP-2
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code unknown compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
二极管类型 PIN DIODE PIN DIODE PIN DIODE
包装说明 R-XBCC-N2 - R-XBCC-N2
应用 SWITCHING - SWITCHING
最小击穿电压 80 V - 80 V
配置 SINGLE - SINGLE
最大二极管电容 0.35 pF - 0.35 pF
二极管元件材料 SILICON - SILICON
最大二极管正向电阻 2.3 Ω - 2.3 Ω
频带 L BAND - L BAND
JESD-30 代码 R-XBCC-N2 - R-XBCC-N2
少数载流子标称寿命 0.75 µs - 0.75 µs
元件数量 1 - 1
端子数量 2 - 2
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER - CHIP CARRIER
最大功率耗散 0.15 W - 0.25 W
表面贴装 YES - YES
技术 POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE - POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式 NO LEAD - NO LEAD
端子位置 BOTTOM - BOTTOM
Base Number Matches 1 1 -
是否Rohs认证 - 符合 符合
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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