TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,13A I(D),TO-204AA
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 13 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches | 1 |
IRF451R | IRF453R | IRF452R | IRF450R | |
---|---|---|---|---|
描述 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,13A I(D),TO-204AA | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,11A I(D),TO-204AA | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,11A I(D),TO-204AA | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,13A I(D),TO-204AA |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | _compli |
配置 | Single | Single | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 13 A | 11 A | 11 A | 13 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W | 125 W | 125 W | 125 W |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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