Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> CMXD2004SRBKTIN/LEAD

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CMXD2004SRBKTIN/LEAD: 产品描述Diode,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小426KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CMXD2004SRBKTIN/LEAD概述

Diode,

CMXD2004SRBKTIN/LEAD规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大正向电压 (VF)	1 V
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大功率耗散	0.35 W
最大重复峰值反向电压	300 V
最大反向电流	100 µA
最大反向恢复时间	0.05 µs
反向测试电压	240 V
表面贴装	YES
Base Number Matches	1

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CMXD2004S

CMXD2004SR

SURFACE MOUNT

DUAL PAIR, IN-SERIES

HIGH VOLTAGE

SILICON SWITCHING DIODES

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXD2004S and

CMXD2004SR consists of dual, in-series pairs of high

voltage silicon switching diodes, manufactured in a

SUPERmini™ SOT-26 surface mount package, and

designed for high voltage switching applications. This

device can be configured as a 1200V switching diode,

or as a bridge rectifier. See optional mounting pad

configurations on following page.

MARKING CODES: CMXD2004S: CX04S

CMXD2004SR: C04SR

SOT-26 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Continuous Reverse Voltage

Peak Repetitive Reverse Voltage

Average Forward Current

Continuous Forward Current

Peak Repetitive Forward Current

Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs

Peak Forward Surge Current, tp=1.0s

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VRRM

IFRM

IFSM

TJ, Tstg

240

300

200

225

625

4.0

1.0

350

-65 to +150

357

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL TEST CONDITIONS

MIN

MAX

BVR

trr

VR=240V

VR=240V, TA=150°C

IR=100μA

IF=100mA

VR=0, f=1.0MHz

IF=IR=30mA, Irr=3.0mA, RL=100Ω

300

1.0

5.0

100

UNIT

μA

R4 (25-May 2012)

CMXD2004SRBKTIN/LEAD相似产品对比

	CMXD2004SRBKTIN/LEAD	CMXD2004SBKLEADFREE	CMXD2004SRBKLEADFREE	CMXD2004SRTRLEADFREE	CMXD2004SLEADFREE	CMXD2004SRLEADFREE
描述	Diode,	Diode,	Diode,	Diode,	Rectifier Diode, 4 Element, 0.225A, 300V V(RRM), Silicon, SUPERMINI-6	Rectifier Diode, 4 Element, 0.225A, 300V V(RRM), Silicon, SUPERMINI-6
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大功率耗散	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W
最大重复峰值反向电压	300 V	300 V	300 V	300 V	300 V	300 V
最大反向恢复时间	0.05 µs	0.05 µs	0.05 µs	0.05 µs	0.05 µs	0.05 µs
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	1 V	1 V	-	-
最大反向电流	100 µA	100 µA	100 µA	100 µA	-	-
反向测试电压	240 V	240 V	240 V	240 V	-	-
JESD-609代码	-	-	e3	e3	e3	e3
湿度敏感等级	-	-	1	1	1	1
端子面层	-	-	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	MATTE TIN (315)

推荐资源

采用频移键控方式的正弦波一方波一三角波振荡器

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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