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2N6057: 产品描述12 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小218KB，共5页; 制造商COMSET; 官网地址http://comset.halfin.com/

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2N6057概述

12 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3

12 A, PNP, 硅, 功率晶体管, TO-3

2N6057规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
最大集电极电流 (IC)	12 A
配置	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	100
最高工作温度	200 °C
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	150 W
表面贴装	NO
标称过渡频率 (fT)	4 MHz
Base Number Matches	1

2N6057相似产品对比

	2N6057	2N6050	2N6051	2N6052	2N6058
描述	12 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3	12 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3	12 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA	12 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA	12 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknown	unknow	unknow
最大集电极电流 (IC)	12 A	12 A	12 A	12 A	12 A
配置	DARLINGTON	DARLINGTON	DARLINGTON	DARLINGTON	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	100	100	100	100	100
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
极性/信道类型	NPN	PNP	PNP	PNP	NPN
最大功率耗散 (Abs)	150 W	150 W	150 W	150 W	150 W
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
标称过渡频率 (fT)	4 MHz	4 MHz	4 MHz	4 MHz	4 MHz
Base Number Matches	1	1	1	1	1

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