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M74HC266AFP

产品描述XNOR Gate, CMOS, PDSO14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小507KB,共9页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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M74HC266AFP概述

XNOR Gate, CMOS, PDSO14

M74HC266AFP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明SOP, SOP14,.3
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PDSO-G14
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型XNOR GATE
最大I(ol)0.004 A
端子数量14
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup31 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

M74HC266AFP相似产品对比

M74HC266AFP M74HC266AP M74HC266ADP
描述 XNOR Gate, CMOS, PDSO14 XNOR Gate, CMOS, PDIP14 XNOR Gate, CMOS, PDSO14
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
包装说明 SOP, SOP14,.3 DIP, DIP14,.3 SOP, SOP14,.25
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
JESD-30 代码 R-PDSO-G14 R-PDIP-T14 R-PDSO-G14
JESD-609代码 e0 e0 e0
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 XNOR GATE XNOR GATE XNOR GATE
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A
端子数量 14 14 14
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
输出特性 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP SOP
封装等效代码 SOP14,.3 DIP14,.3 SOP14,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
电源 2/6 V 2/6 V 2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 31 ns 31 ns 31 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO NO
表面贴装 YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1

 
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