1N6864E3: 产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 80V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小1MB，共8页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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1N6864E3概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 80V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2

1N6864E3规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Microsemi
包装说明	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.7 V
JESD-30 代码	O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流	80 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	3 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	80 V
最大反向电流	150 µA
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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1N5820 – 1N5822 and 1N6864

Qualified Levels*:

JAN, JANTX,

JANTXV and JANS

Available on

commercial

versions

3 Amp Axial Schottky Barrier Rectifiers

Qualified per MIL-PRF-19500/620

DESCRIPTION

This series of 3 amp Schottky rectifiers in their axial-leaded “B” packaging offer flexible thru-

hole mounting. The 1N5822 and 1N6864 are military qualified for high-reliability applications.

Important:

For the latest information, visit our website

http://www.microsemi.com.

FEATURES

•

JEDEC registered 1N5820 – 1N5822 and 1N6864 numbers.

Hermetically sealed.

Metallurgically bonded.

Double plug construction.

*JAN, JANTX, JANTXV and JANS qualifications are available per MIL-PRF-19500/620 for 1N6822

and 1N6864 only.

(See

Part Nomenclature

for all available options.)

RoHS compliant devices available (commercial grade only).

“B” Package

Also available in:

“B” MELF Package

(surface mount)

1N5820US – 1N5822US,

1N6864US

•

APPLICATIONS / BENEFITS

•

Flexible axial leads for thru-hole mounting (see package illustration).

Non-sensitive to ESD per MIL-STD-750 method 1020.

MAXIMUM RATINGS

@ T

= +25 C unless otherwise noted.

Parameters/Test Conditions

Junction Temperature

Storage Temperature

Thermal Resistance Junction-to-Lead @ .375 inch

(9.52 mm) lead length

Surge Peak Forward Current @ T

= +25 C

(Test pulse = 8.3 ms, half-sine wave.)

(1)

Average Rectified Output Current @ T

= +55 C

Symbol

STG

ӨJL

FSM

Value

-65 to +125

-65 to +150

Unit

C/W

MSC – Lawrence

6 Lake Street,

Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158

Tel: (978) 620-2600

Fax: (978) 689-0803

MSC – Ireland

Gort Road Business Park,

Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044

Fax: +353 (0) 65 6822298

Website:

www.microsemi.com

NOTES:

1. See

Figures 3 and 4

for derating curves and for effects of V

on T

The maximum T

depends on the

voltage applied.

T4-LDS-0303, Rev. 1 (6/14/13)

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1N6864E3相似产品对比

	1N6864E3	1N5822E3	JANTX1N6864	JAN1N6864	JANTXV1N6864	1N5820E3	1N5821E3	JANS1N6864
描述	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 80V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 80V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 80V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 80V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 80V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2
包装说明	O-LALF-W2	ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2	HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2	O-LALF-W2	HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2	O-LALF-W2	O-LALF-W2	HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.7 V	0.7 V	0.7 V	0.7 V	0.7 V	0.7 V	0.7 V	0.7 V
JESD-30 代码	O-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流	80 A	80 A	80 A	80 A	80 A	80 A	80 A	80 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
相数	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A
封装主体材料	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	80 V	40 V	80 V	80 V	80 V	20 V	30 V	80 V
最大反向电流	150 µA	100 µA	150 µA	150 µA	150 µA	100 µA	100 µA	150 µA
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
厂商名称	Microsemi	-	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-	-

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