SDF320JDAVGU1B,SDF320JDAVGU1B pdf中文资料,SDF320JDAVGU1B引脚图,SDF320JDAVGU1B电路-Datasheet-电子工程世界

SDF320JDAVGU1B: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小71KB，共1页; 制造商Solitron Devices Inc

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SDF320JDAVGU1B概述

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257,

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Solitron Devices Inc
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	400 V
最大漏极电流 (ID)	3.3 A
最大漏源导通电阻	1.8 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-257
JESD-30 代码	R-MSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	13 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	65 ns
最大开启时间（吨）	35 ns
Base Number Matches	1

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