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QM100E3Y-HK

产品描述Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1-Element
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小132KB,共2页
制造商POWEREX
官网地址http://www.pwrx.com/Home.aspx
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QM100E3Y-HK概述

Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1-Element

QM100E3Y-HK规格参数

参数名称属性值
厂商名称POWEREX
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)100 A
最小直流电流增益 (hFE)75
最大降落时间(tf)3000 ns
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散 (Abs)620 W
VCEsat-Max2 V
Base Number Matches1

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描述 Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1-Element Power Bipolar Transistor, 150A I(C), 1-Element Power Bipolar Transistor, 150A I(C), 1-Element Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1-Element Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 1-Element Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element
厂商名称 POWEREX POWEREX POWEREX POWEREX POWEREX POWEREX
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 100 A 150 A 150 A 100 A 30 A 50 A
最小直流电流增益 (hFE) 75 75 100 75 100 100
最大降落时间(tf) 3000 ns 3000 ns 3000 ns 3000 ns 3000 ns 3000 ns
元件数量 1 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 620 W 690 W 1000 W 800 W 250 W 312 W
VCEsat-Max 2 V 2 V 2.5 V 2.5 V 2 V 2 V

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