70121S35JG,70121S35JG pdf中文资料,70121S35JG引脚图,70121S35JG电路-Datasheet-电子工程世界

70121S35JG: 产品描述Dual-Port SRAM, 2KX9, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52; 产品类别存储存储; 文件大小193KB，共16页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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70121S35JG概述

Dual-Port SRAM, 2KX9, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	QCCJ, LDCC52,.8SQ
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	35 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J52
JESD-609代码	e3
内存密度	18432 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	9
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	52
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2KX9
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC52,.8SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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