EDI8F24128C25MZC,EDI8F24128C25MZC pdf中文资料,EDI8F24128C25MZC引脚图,EDI8F24128C25MZC电路-Datasheet-电子工程世界

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EDI8F24128C25MZC: 产品描述SRAM Module, 384KX8, 25ns, CMOS,; 产品类别存储存储; 文件大小247KB，共5页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]

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EDI8F24128C25MZC概述

SRAM Module, 384KX8, 25ns, CMOS,

EDI8F24128C25MZC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	25 ns
其他特性	CONFIGURABLE AS 128K X 24
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XZMA-T60
JESD-609代码	e0
内存密度	3145728 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	393216 words
字数代码	384000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	384KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	ZIP
封装等效代码	ZIP60,.1,.1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	14.986 mm
最大待机电流	0.03509 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.59 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

EDI8F24128C25MZC相似产品对比

	EDI8F24128C25MZC	EDI8F24128C35MZC	EDI8F24128C20MZC
描述	SRAM Module, 384KX8, 25ns, CMOS,	SRAM Module, 384KX8, 35ns, CMOS,	SRAM Module, 384KX8, 20ns, CMOS,
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	25 ns	35 ns	20 ns
其他特性	CONFIGURABLE AS 128K X 24	CONFIGURABLE AS 128K X 24	CONFIGURABLE AS 128K X 24
JESD-30 代码	R-XZMA-T60	R-XZMA-T60	R-XZMA-T60
内存密度	3145728 bit	3145728 bit	3145728 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	8	8	8
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	60	60	60
字数	393216 words	393216 words	393216 words
字数代码	384000	384000	384000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	384KX8	384KX8	384KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG
是否Rohs认证	不符合	不符合	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	-
JESD-609代码	e0	e0	-
封装代码	ZIP	ZIP	-
封装等效代码	ZIP60,.1,.1	ZIP60,.1,.1	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
电源	5 V	5 V	-
座面最大高度	14.986 mm	14.986 mm	-
最大待机电流	0.03509 A	0.03509 A	-
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	-
最大压摆率	0.59 mA	0.59 mA	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
Base Number Matches	1	1	-

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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