DS1245ABL-70-IND,DS1245ABL-70-IND pdf中文资料,DS1245ABL-70-IND引脚图,DS1245ABL-70-IND电路-Datasheet-电子工程世界

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DS1245ABL-70-IND: 产品描述Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO34, 0.250 INCH HEIGHT, LOW PROFILE, SMT-34; 产品类别存储存储; 文件大小240KB，共10页; 制造商Maxim(美信半导体); 官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html

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DS1245ABL-70-IND概述

Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO34, 0.250 INCH HEIGHT, LOW PROFILE, SMT-34

DS1245ABL-70-IND规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Maxim(美信半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	0.250 INCH HEIGHT, LOW PROFILE, SMT-34
针数	34
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	70 ns
其他特性	DATA RETENTION > 10 YEARS
JESD-30 代码	R-PDSO-U34
JESD-609代码	e0
长度	24.5745 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	34
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ-I
封装等效代码	MODULE,34LEAD,1.0
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	6.35 mm
最大待机电流	0.005 A
最大压摆率	0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	J INVERTED
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	21.5265 mm
Base Number Matches	1

DS1245ABL-70-IND相似产品对比

	DS1245ABL-70-IND	DS1245ABL-70	DS1245ABL-100
描述	Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO34, 0.250 INCH HEIGHT, LOW PROFILE, SMT-34	Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO34, 0.250 INCH HEIGHT, LOW PROFILE, SMT-34	Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)	Maxim(美信半导体)
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC
包装说明	0.250 INCH HEIGHT, LOW PROFILE, SMT-34	SOJ-I, MODULE,34LEAD,1.0	SOJ-I, MODULE,34LEAD,1.0
针数	34	34	34
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
Base Number Matches	1	1	-

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