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CMLT4413TR

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND PLASTIC, PICOMINI-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小579KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMLT4413TR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND PLASTIC, PICOMINI-6

CMLT4413TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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CMLT4413
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY NPN/PNP
SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT4413
consists of one isolated 2N4401 NPN silicon transistor
and one complementary isolated 2N4403 PNP silicon
transistor, manufactured by the epitaxial planar process
and epoxy molded in an SOT-563 surface mount
package. This PICOmini™ device is designed for
small signal general purpose amplifier and switching
applications.
MARKING CODE: PC3
SOT-563 CASE
Device is
Halogen Free
by design
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation (Note 1)
Power Dissipation (Note 2)
Power Dissipation (Note 3)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
NPN (Q1)
60
40
6.0
PNP (Q2)
40
40
5.0
600
350
300
150
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
mW
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
NPN (Q1)
PNP (Q2)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
MIN
MAX
ICEV
VCE=35V, VEB=0.4V
-
0.1
-
0.1
IBEV
VCE=35V, VEB=0.4V
-
0.1
-
0.1
BVCBO
IC=100μA
60
-
40
-
BVCEO
IC=1.0mA
40
-
40
-
BVEBO
IE=100μA
6.0
-
5.0
-
VCE(SAT)
IC=150mA, IB=15mA
-
0.40
-
0.40
VCE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
-
0.75
-
0.75
VBE(SAT)
IC=150mA, IB=15mA
0.75
0.95
0.75
0.95
VBE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
-
1.2
-
1.3
hFE
VCE=1.0V, IC=0.1mA
20
-
30
-
hFE
VCE=1.0V, IC=1.0mA
40
-
60
-
hFE
VCE=1.0V, IC=10mA
80
-
100
-
hFE
VCE=1.0V, IC=150mA
100
300
-
-
hFE
VCE=2.0V, IC=150mA
-
-
100
300
hFE
VCE=2.0V, IC=500mA
40
-
20
-
fT
VCE=10V, IC=20mA, f=100MHz
250
-
200
-
Cob
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
-
6.5
-
8.5
Cib
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
-
30
-
30
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm
2
UNITS
μA
μA
V
V
V
V
V
V
V
MHz
pF
pF
R1 (20-January 2010)

CMLT4413TR相似产品对比

CMLT4413TR CMLT4413TRLEADFREE
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND PLASTIC, PICOMINI-6 Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN and PNP
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor
Reach Compliance Code not_compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A
最小直流电流增益 (hFE) 40 100
JESD-609代码 e0 e3
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN AND PNP NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 200 MHz
Base Number Matches 1 1
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