Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYM5V64434ASLTQG-50

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HYM5V64434ASLTQG-50: 产品描述EDO DRAM Module, 4MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144; 产品类别存储存储; 文件大小197KB，共11页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HYM5V64434ASLTQG-50概述

EDO DRAM Module, 4MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144

HYM5V64434ASLTQG-50规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,32
针数	144
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	25.4 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.0012 A
最大压摆率	0.48 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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HYM5V64404A Q-Series

SO DIMM 4Mx64 bit CMOS DRAM MODULE

based on 4Mx16 DRAM, EDO, 3.3V, 4K/8K-Refresh

DESCRIPTION

The HYM5V64404A Q-Series is a 4Mx64-bit EDO mode CMOS DRAM module consisting of four 4Mx16

TSOP and one 2048-bit EEPROM on a 144 pin glass-epoxy printed circuit board. 0.1µF and 0.01µF

decoupling capacitors are mounted for each DRAM. The HYM5V64404AQ G-series is gold plated socket

type Dual In-line Memory Module suitable for easy interchange and addition of 32M byte memory.

FEATURES

•

Max. Active Power Dissipation

Speed

1.58W

1.30W

2.02W

1.73W

•

Single power supply of 3.3V

10%

•

Read-Modify-Write Capability

•

LVTTL compatible inputs and outputs

•

/CAS-before-/RAS, /RAS-only, Hidden

and Self refresh capability

•

Refresh cycles

tHPC

25ns

30ns

Part No.

HYM5V64404A Q-Series

HYM5V64434A Q-Series

Ref.

8K£

•

Fast access time and cycle time

Speed

tRAC

50ns

60ns

tCAC

13ns

15ns

•

144-Pin SO DIMM

•

Serial Presence Detect with EEPROM

•

Extended Data Out Operation

£ ª

/CAS-before-/RAS refresh, Hidden refresh

mode : 4K cycles / 64ms

PIN DISCRIPTION

/RAS0

/CAS0-CAS7,

/WE

/OE

A0 -A12

A0 -A11

DQ0-DQ63

SCL

SDA

VCC

VSS

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Write Enable

Output Enable

Address Input(8K Product)

Address Input(4K Product)

Data Input / Output

Serial PD Clock Input

Serial PD Data Input/Output

Power (+3.3V)

Ground

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume

any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev.04 / May.98

Hyundai Semiconductor

HYM5V64434ASLTQG-50相似产品对比

	HYM5V64434ASLTQG-50	HYM5V64404ASLTQG-50	HYM5V64434ASLTQG-60	HYM5V64434ATQG-50	HYM5V64434ATQG-60	HYM5V64404ATQG-60	HYM5V64404ATQG-50	HYM5V64404ASLTQG-60
描述	EDO DRAM Module, 4MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 4MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 4MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 4MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144	EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32
针数	144	144	144	144	144	144	144	144
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns	50 ns	60 ns	50 ns	60 ns	60 ns	50 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	144	144	144	144	144	144	144	144
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX64	4MX64	4MX64	4MX64	4MX64	4MX64	4MX64	4MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	4096	8192	8192	8192	4096	4096	4096
自我刷新	YES	YES	YES	NO	NO	NO	NO	YES
最大待机电流	0.0012 A	0.0012 A	0.0012 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.0012 A
最大压摆率	0.48 mA	0.56 mA	0.4 mA	0.44 mA	0.4 mA	0.48 mA	0.56 mA	0.48 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-	-

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