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SGA5263ZSQ

产品描述Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 4500MHz Max, 1 Func, BIPolar, SOT-363, 6 PIN
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小325KB,共6页
制造商Qorvo
官网地址https://www.qorvo.com
标准
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SGA5263ZSQ概述

Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 4500MHz Max, 1 Func, BIPolar, SOT-363, 6 PIN

SGA5263ZSQ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Qorvo
包装说明TSSOP6,.08
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码5A991.G
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
增益12.3 dB
最大输入功率 (CW)16 dBm
安装特点SURFACE MOUNT
功能数量1
端子数量6
最大工作频率4500 MHz
最小工作频率
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码TSSOP6,.08
电源3.4 V
射频/微波设备类型WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率66 mA
表面贴装YES
技术BIPOLAR
最大电压驻波比1.4
Base Number Matches1

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SGA5263ZDC
to 4500MHz,
Silicon Germa-
nium Cascad-
able Gain
Block
SGA5263Z
DC to 4500MHz, Silicon Germanium
Cascadable Gain Block
Package: SOT-363
Product Description
The SGA5263Z is a high performance SiGe HBT MMIC Amplifier. A Darling-
ton configuration featuring one-micron emitters provides high F
T
and
excellent thermal performance. The heterojunction increases breakdown
voltage and minimizes leakage current between junctions. Cancellation of
emitter junction non-linearities results in higher suppression of intermodu-
lation products. Only two DC-blocking capacitors, a bias resistor, and an
optional RF choke are required for operation.
Optimum Technology
Matching® Applied
GaAs HBT
GaAs MESFET
InGaP HBT
Si BiCMOS
Features
DC to 4500MHz Operation
Single Voltage Supply
Low Current Draw: 60mA at
3.4V Typ.
High Output Intercept:
29dBm Typ. at 1950MHz
Oscillator Amplifiers
Broadband Gain Block
IF/RF Buffer Amplifiers
Applications
Small Signal Gain vs. Frequency
15
10
SiGe HBT
GaAs pHEMT
Si CMOS
Si BJT
GaN HEMT
RF MEMS
dB
5
SiGe BiCMOS
25C
-40C
85C
0
0.1
1
1.9
2.8
3.7
4.6
5.5
Frequency GHz
Parameter
Small Signal Gain
Min.
12.0
Specification
Typ.
13.3
12.6
12.3
16.3
15.0
14.0
32.5
29.3
27.3
4500
1.2:1
1.4:1
18.3
19.2
19.5
4.0
3.4
60
255
Max.
14.6
Unit
dB
dB
dB
dBm
dBm
dBm
dBm
dBm
dBm
MHz
Condition
850MHz
1950MHz
2400MHz
850MHz
1950MHz
2400MHz
850MHz, P
OUT
per tone = -10dBm
1950MHz, P
OUT
per tone = -10dBm
2400MHz, P
OUT
per tone = -10dBm
Minimum 10dB Return Loss (typ.)
1950MHz
1950MHz
850MHz
1950MHz
2400MHz
1950MHz
Output Power at 1dB Compression
Third Order Intercept Point
S
11
, S
22
Input VSWR
Output VSWR
Reverse Isolation
Noise Figure
Device Operating Voltage
Device Operating Current
54
Thermal Resistance
(Junction - Lead)
Test Conditions: Z
0
= 50, I
D
= 60mA, T = 25°C
66
dB
dB
dB
dB
V
mA
°C/W
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.
DS121011
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
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描述 Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 4500MHz Max, 1 Func, BIPolar, SOT-363, 6 PIN Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 4500MHz Max, 1 Func, BIPolar, SOT-363, 6 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Qorvo Qorvo
包装说明 TSSOP6,.08 TSSOP6,.08
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 5A991.G 5A991.G
特性阻抗 50 Ω 50 Ω
构造 COMPONENT COMPONENT
增益 12.3 dB 12.3 dB
最大输入功率 (CW) 16 dBm 16 dBm
安装特点 SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT
功能数量 1 1
端子数量 6 6
最大工作频率 4500 MHz 4500 MHz
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装等效代码 TSSOP6,.08 TSSOP6,.08
电源 3.4 V 3.4 V
射频/微波设备类型 WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率 66 mA 66 mA
表面贴装 YES YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR
最大电压驻波比 1.4 1.4

 
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