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SGA2486ZSQ: 产品描述Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 5000MHz Max, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-86, 4 PIN; 产品类别无线/射频/通信射频和微波; 文件大小283KB，共6页; 制造商Qorvo; 官网地址https://www.qorvo.com

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SGA2486ZSQ概述

Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 5000MHz Max, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-86, 4 PIN

SGA2486ZSQ规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Qorvo
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
特性阻抗	50 Ω
构造	COMPONENT
增益	17.8 dB
最大输入功率 (CW)	18 dBm
最大工作频率	5000 MHz
最小工作频率
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
射频/微波设备类型	WIDE BAND LOW POWER
Base Number Matches	1

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SGA2486ZDC

to 5000MHz,

Cascadable

SiGe HBT

MMIC Ampli-

fier

SGA2486Z

DC to 5000MHz, CASCADABLE SiGe HBT

MMIC AMPLIFIER

Package: SOT-86

Product Description

The SGA2486Z is a high performance SiGe HBT MMIC Amplifier. A Darling-

ton configuration featuring one-micron emitters provides high F

and

excellent thermal performance. The heterojunction increases breakdown

voltage and minimizes leakage current between junctions. Cancellation of

emitter junction non-linearities results in higher suppression of intermodu-

lation products. Only two DC-blocking capacitors, a bias resistor, and an

optional RF choke are required for operation.

Optimum Technology

Matching® Applied

GaAs HBT

GaAs MESFET

InGaP HBT

SiGe BiCMOS

Si BiCMOS

Gain (dB)

GAIN

IRL

ORL

Return Loss (dB)

-10

Features



High Gain: 16.7dB at

1950MHz

Cascadable 50Ω

Operates from Single Supply

Low Thermal Resistance

Package

PA Driver Amplifier

Cellular, PCS, GSM, UMTS

IF Amplifier

Wireless Data, Satellite

Applications

Gain & Return Loss vs. Freq. @T

=+25°C



-20



SiGe HBT

GaAs pHEMT

Si CMOS

Si BJT

GaN HEMT

RF MEMS

-30

0.0

1.0

2.0

3.0

Frequency (GHz)

4.0

5.0

-40

Parameter

Small Signal Gain

Min.

17.8

Specification

Typ.

19.8

16.7

15.3

8.4

7.5

20.0

20.8

5000

Max.

21.8

Unit

dBm

MHz

850MHz

1950MHz

2400MHz

850MHz

1950MHz

850MHz

1950MHz

>8dB

Condition

Output Power at 1dB Compression

Output Third Intercept Point

Bandwidth Determined by Return

Loss

Input Return Loss

10.9

1950MHz

Output Return Loss

16.5

1950MHz

Noise Figure

3.2

1950MHz

Device Operating Voltage

2.4

2.7

3.0

Device Operating Current

Thermal Resistance

°C/W

(Junction - Lead)

Test Conditions: V

=5V, I

=20mA Typ., OIP

Tone Spacing=1MHz, P

OUT

per tone=-10dBm, R

BIAS

=120Ω, T

=25°C, Z

=50Ω

RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-

mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.

DS100916

7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical

support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.

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