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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RS407L
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RS407L

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 1000V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小120KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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RS407L在线购买

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RS407L概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 1000V V(RRM), Silicon

RS407L规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明R-PSIP-W4
Reach Compliance Codecompliant
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PSIP-W4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度125 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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21201 Itasca St.
Chatsworth, CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
RS401L
THRU
RS407L
4 Amp Single Phase
Bridge Rectifier
50 to 1000 Volts
RS-4L
A
Features
•
•
•
•
Low Leakage
Low Forward Voltage
Any Mounting Position
Surge Overload Rating Of 200 Amps
Maximum Ratings
•
•
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
B
Microsemi
Part Number
RS401L
RS402L
RS403L
RS404L
RS405L
RS406L
RS407L
Maximum
RMS Voltage
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
+
AC
-
C
H
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum Forward
Voltage Drop Per
Element
I
F(AV)
I
FSM
4.0A
200A
T
J
= 50°C
8.3ms, half sine
G
E
D
V
F
1.0V
I
FM
= 2.0A;
T
J
= 25°C*
DIM
A
B
C
D
E
G
H
INCHES
MIN
.730
.608
.750
.245
.182
.059
.051
DIMENSIONS
MM
MIN
18.50
15.40
19.00
6.20
4.60
1.50
1.30
Maximum DC
Reverse Current At
I
R
10µA
T
J
= 25°C
Rated DC Blocking
1.0mA T
J
= 100°C
Voltage
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 1%
MAX
.770
.632
---
.257
.221
.079
---
MAX
19.50
16.00
---
6.50
5.60
2.00
---
NOTE
3 PL
TYP

RS407L相似产品对比

RS407L RS401L RS404L RS403L RS406L
描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 1000V V(RRM), Silicon Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 50V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 400V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 200V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, 800V V(RRM), Silicon
Reach Compliance Code compliant not_compliant not_compliant not_compliant compliant
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
JESD-30 代码 R-PSIP-W4 R-PSIP-W4 R-PSIP-W4 R-PSIP-W4 R-PSIP-W4
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A 200 A 200 A 200 A
元件数量 4 4 4 4 4
相数 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最大输出电流 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1000 V 50 V 400 V 200 V 800 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
厂商名称 Microsemi - Microsemi Microsemi Microsemi
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 -

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