电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RU4MV3

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小172KB,共9页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
下载文档 详细参数 全文预览

RU4MV3概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, Silicon,

RU4MV3规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANKEN
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流3.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.4 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
General-purpose Diodes
Rectifier Diodes
s
Surface-mount Type
Absolute Maximum Ratings
Type No.
V
RM
(V)
200
400
200
400
1.0
45
I
F (AV)
(A)
I
FSM
(A)
Tj
Tstg
(ºC)
SFPM-52
-54
SFPM-62
-64
0.9
30
–40 to +150
0.98
V
F
(V)
max
1.00
1.0
10
1
Condition
(Ta=25ºC)
Electrical Characteristics
I
R
(µA)
max
RM 4Y
4Z
4
4A
4B
4C
100
200
400
600
800
1000
600
3.2
350
0.92
3.5
150
3.0
–40 to +150
0.97
200
0.95
3.0
Fig.
No.
Type No.
V
RM
(V)
Absolute Maximum Ratings
I
F (AV)
(A)
I
FSM
(A)
Tj
Tstg
(ºC)
(Ta=25ºC)
Electrical Characteristics
V
F
I
R
Condition
(V)
(µA)
I
F
max
max
(A)
Fig.
No.
I
F
(A)
10
8
s
Axial Type
Absolute Maximum Ratings
Type No.
V
RM
(V)
200
400
600
200
400
600
100
200
400
600
800
1000
400
600
800
200
400
600
800
1000
600
800
1000
200
400
600
800
200
400
600
800
1000
200
400
600
800
1000
400
600
800
1000
2.0
2.5
150
–40 to +150
0.95
2.5
1.2
80
–40 to +150
0.92
1.5
1.2
100
–40 to +150
0.91
1.5
1.2
150
1.5
120
–40 to +150
0.91
1.5
1.2
100
–40 to +150
0.92
1.5
0.8
40
1.0
50
–40 to +150
1.20
0.95
1.0
1.2
80
–40 to +150
0.92
1.2
1.0
45
–40 to +150
0.97
1.0
1.0
45
–40 to +150
0.97
1.0
1.0
35
–40 to +150
0.98
1.0
I
F (AV)
(A)
I
FSM
(A)
Tj
Tstg
(ºC)
AM01Z
01
01A
EM01Z
01
01A
EM 1Y
1Z
1
1A
1B
1C
EM 2
2A
2B
RM 1Z
1
1A
1B
1C
RM 11A
11B
11C
RM 10Z
10
10A
10B
RM 2Z
2
2A
2B
2C
RO 2Z
2
2A
2B
2C
RM 3
3A
3B
3C
V
F
(V)
max
Condition
(Ta=25ºC)
Electrical Characteristics
I
R
(µA)
max
Fig.
No.
4AM
I
F
(A)
s
Center-tap Type
Absolute Maximum Ratings
Type No.
V
RM
(V)
200
400
600
100
200
400
600
20.0
120
–40 to +150
1.1
10.0
10.0
100
–40 to +150
1.1
5.0
I
F (AV)
(A)
I
FSM
(A)
Tj
Tstg
(ºC)
FMM-22S,R
V
F
Condition
(V)
I
F
max. per
(A)
chip
(Ta=25ºC)
Electrical Characteristics
I
R
(µA)
max. per
chip
10
2
Fig.
No.
10
3
-24S,R
-26S,R
FMM-31S,R
-32S,R
-34S,R
-36S,R
10
9
10
10
35
10
4
5
5
10
10
10
6
10
10
7
89
基于WinUSB实现的嵌入式USB免驱设备通信方式
为了简化USB设备的开发和接入到PC系统,微软开发了WinUSB,可以将Winusb.sys作为设备功能驱动程序安装,并提供WinUSB API供应用程序访问设备。一直以来,除了USB HID设备,其他类型的设备在WI ......
Aguilera 微控制器 MCU
2011_MCU_Day_-_20个城市巡回_火热报名中
自MSP430系列单片机99年进入中国市场以来,以其超低功耗,高性能深得广大工程师青睐。 2011年MCU DAY研讨会我们更注重MCU技术前沿,重点对value line,low voltage MCU以及FRAM MCU等新技术进 ......
莫妮卡 微控制器 MCU
研究表明男人比女人感情专注
1-5岁 女:妈妈 男:妈妈 6-10岁 女:不是讨厌的男孩子就可以了 男:可以陪我欺负女孩子的哥哥 11-15岁 女:十五六七八的大哥哥,千万不要同年级那帮野蛮人 男:足球、篮球、羽毛球 ......
simonprince 聊聊、笑笑、闹闹
电源管理的数据精度
一般自闭线和贯通线的相间电压范围在0 V—300 V之间,电流范围在0 A—100 A间,考虑到瞬间过压和过流的情况,通过改变外部电压互感器和电流互感器的变比,可以适当增加测量范围 ......
zbz0529 电源技术
【求助】430 ST7920带字库12864画点失败
求救下万能的网友。 我采用打点程序,打出来的竟然是几条线。 之前看看到网上有人说是因为没有开扩展指令集,但是我开了 求救 176548 PS:附上我的打点子程序 unsigned char Row,Tier ......
常见泽1 微控制器 MCU
化学气相淀积在集成电路制造后段工艺中的应用
化学气相淀积在集成电路制造后段工艺中的应用 【来源:《半导体技术》】【作者:易万兵1,2,3,涂瑞能1 ,张炳一1,吴谨1,毛杜立 1,邹世昌1,2】【时间: 2006-2-6 9:23:45】【点击: 287 ......
fighting PCB设计

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 785  1379  1175  1956  616  16  57  31  46  42 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved