MCM69L618ZP8.5概述

IC,SYNC SRAM,64KX18,BICMOS,BGA,119PIN,PLASTIC

MCM69L618ZP8.5规格参数

	MCM69L618ZP8.5	MCM69L618ZP10.5
描述	IC,SYNC SRAM,64KX18,BICMOS,BGA,119PIN,PLASTIC	IC,SYNC SRAM,64KX18,BICMOS,BGA,119PIN,PLASTIC
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50
Reach Compliance Code	unknown	unknown
最长访问时间	8.5 ns	10.5 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	1179648 bit	1179648 bit
内存集成电路类型	LATE-WRITE SRAM	LATE-WRITE SRAM
内存宽度	18	18
端子数量	119	119
字数	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	64KX18	64KX18
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
电源	1.5,3.3 V	1.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最小待机电流	3.15 V	3.15 V
表面贴装	YES	YES
技术	BICMOS	BICMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY