35 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MS-012AA
35 W, 单向, 6 组成, 硅, 瞬态抑制二极管, MS-012AA
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | PLASTIC, SOP-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最大击穿电压 | 7.2 V |
最小击穿电压 | 6.4 V |
击穿电压标称值 | 6.8 V |
配置 | COMMON ANODE, 6 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | MS-012AA |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 |
湿度敏感等级 | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 35 W |
元件数量 | 6 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | NICKEL PALLADIUM GOLD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
PESD5V0L6US | PESD5V0L6UAS | |
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描述 | 35 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MS-012AA | 35 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MS-012AA |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
零件包装代码 | SOIC | TSSOP |
包装说明 | PLASTIC, SOP-8 | PLASTIC, TSSOP-8 |
针数 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | unknow | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大击穿电压 | 7.2 V | 7.2 V |
最小击穿电压 | 6.4 V | 6.4 V |
击穿电压标称值 | 6.8 V | 6.8 V |
配置 | COMMON ANODE, 6 ELEMENTS | COMMON ANODE, 6 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 35 W | 35 W |
元件数量 | 6 | 6 |
端子数量 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
极性 | UNIDIRECTIONAL | UNIDIRECTIONAL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | AVALANCHE | AVALANCHE |
端子面层 | NICKEL PALLADIUM GOLD | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
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