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PESD5V0L6US

产品描述35 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MS-012AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小88KB,共14页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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PESD5V0L6US概述

35 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MS-012AA

35 W, 单向, 6 组成, 硅, 瞬态抑制二极管, MS-012AA

PESD5V0L6US规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SOIC
包装说明PLASTIC, SOP-8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大击穿电压7.2 V
最小击穿电压6.4 V
击穿电压标称值6.8 V
配置COMMON ANODE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散35 W
元件数量6
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

PESD5V0L6US相似产品对比

PESD5V0L6US PESD5V0L6UAS
描述 35 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MS-012AA 35 W, UNIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MS-012AA
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
零件包装代码 SOIC TSSOP
包装说明 PLASTIC, SOP-8 PLASTIC, TSSOP-8
针数 8 8
Reach Compliance Code unknow unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大击穿电压 7.2 V 7.2 V
最小击穿电压 6.4 V 6.4 V
击穿电压标称值 6.8 V 6.8 V
配置 COMMON ANODE, 6 ELEMENTS COMMON ANODE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e3
湿度敏感等级 1 1
最大非重复峰值反向功率耗散 35 W 35 W
元件数量 6 6
端子数量 8 8
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
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