UF2805B: 产品描述UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小185KB，共3页; 制造商TE Connectivity(泰科); 官网地址http://www.te.com; 标准

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UF2805B概述

UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	TE Connectivity(泰科)
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW NOISE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	65 V
最大漏极电流 (ID)	1.4 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	2.4 pF
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F6
元件数量	1
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	14.4 W
最小功率增益 (Gp)	10 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

an AMP company

RF MOSFET Power

100 - 500 MHz

Features

Transistor,

5W, 28V

UF2805B

v2.00

N-Channel Enhancement

DUOS Structure

Lower Capacitances

Lower Noise Floor

Mode Device

Operation

for Broadband

0 Common Source Configuration

100 MHz to 500 MHz Operation

.* 9

Absolute

Maximum Ratings at 25°C

Electrical

Characteristics

at 25°C

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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