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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 1N5397GP
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1N5397GP

产品描述1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小38KB，共3页
制造商上海商朗电子
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1N5397GP概述

1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

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Shanghai Lunsure Electronic
Technology Co.,Ltd
Tel:0086-21-37185008
Fax:0086-21-57152769
1N5391GP
THRU
1N5399GP
1.5 Amp Glass
Passivated Rectifier
50 - 1000 Volts
DO-15
Features
•
•
•
•
•
Low Current Leakage
Low Forward Voltage
High Current Capability
Low Cost
Glass Passivated Junction
•
•
•
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Typical Thermal Resistance; 45°C/W Junction To Ambient
Microsemi
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
300V
400V
500V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
300V
400V
500V
600V
800V
1000V
D
1N5391GP
1N5392GP
1N5393GP
1N5394GP
1N5395GP
1N5396GP
1N5397GP
1N5398GP
1N5399GP
---
---
---
---
---
---
---
---
---
35V
70V
140V
210V
280V
350V
420V
560V
700V
A
Cathode
Mark
B
D
C
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
I
F(AV)
1.5A
T
A
= 70°C
Current
Peak Forward Surge
I
FSM
50A
8.3ms, half sine
Current
Maximum
1.4V
I
FM
= 1.5A;
Instantaneous
V
F
Forward Voltage
T
J
= 25°C*
Maximum DC
Reverse Current At
I
R
5.0µA
T
A
= 25°C
Rated DC Blocking
300µA
T
A
= 100°C
Voltage
Typical Junction
C
J
15pF
Measured at
Capacitance
1.0MHz, V
R
=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 1%
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.230
.104
.026
1.000
MM
MIN
5.80
2.60
.70
25.40
DIM
A
B
C
D
MAX
.300
.140
.034
---
MAX
7.60
3.60
.90
---
NOTE
www.cnelectr .com

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描述 1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC 1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

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