电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

M5M51008P-10L-W

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, DIP-32
产品类别存储    存储   
文件大小559KB,共7页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
下载文档 详细参数 全文预览

M5M51008P-10L-W概述

Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, DIP-32

M5M51008P-10L-W规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明DIP, DIP32,.6
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T32
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度-20 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 97  723  821  827  1478 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved