Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> HWL27YRA

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HWL27YRA: 产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小91KB，共4页; 制造商Hexawave; 官网地址http://www.hw.com.tw

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HWL27YRA概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET

HWL27YRA规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Hexawave
包装说明	SMALL OUTLINE, R-CDSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.6 A
最大漏极电流 (ID)	0.46 A
FET 技术	JUNCTION
最高频带	S BAND
JESD-30 代码	R-CDSO-G2
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	DEPLETION MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	3.5 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches	1

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L-Band GaAs Power FET

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Email:

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