EBE10UE8ACWB-6E-E,EBE10UE8ACWB-6E-E pdf中文资料,EBE10UE8ACWB-6E-E引脚图,EBE10UE8ACWB-6E-E电路-Datasheet-电子工程世界

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EBE10UE8ACWB-6E-E: 产品描述1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM; 产品类别存储存储; 文件大小206KB，共29页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en; 标准

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EBE10UE8ACWB-6E-E概述

1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

EBE10UE8ACWB-6E-E规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ELPIDA
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40
针数	240
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240
长度	133.35 mm
内存密度	1073741824 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	240
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	128MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	30 mm
自我刷新	YES
最大压摆率	2.2 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	NO LEAD
端子节距	1 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	3.18 mm

EBE10UE8ACWB-6E-E相似产品对比

	EBE10UE8ACWB-6E-E	EBE10UE8ACWB-8G-E	EBE10UE8ACWB-8E-E	EBE10UE8ACWB
描述	1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM	1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM	1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM	1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
是否Rohs认证	符合	符合	符合	-
厂商名称	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA	-
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	-
包装说明	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	-
针数	240	240	240	-
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	-
最长访问时间	0.45 ns	0.4 ns	0.4 ns	-
其他特性	AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM	AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM	AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM	-
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz	400 MHz	400 MHz	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-
JESD-30 代码	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	-
长度	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm	-
内存密度	1073741824 bi	1073741824 bi	1073741824 bi	-
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	-
内存宽度	8	8	8	-
功能数量	1	1	1	-
端口数量	1	1	1	-
端子数量	240	240	240	-
字数	134217728 words	134217728 words	134217728 words	-
字数代码	128000000	128000000	128000000	-
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	-
组织	128MX8	128MX8	128MX8	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	-
封装等效代码	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
刷新周期	8192	8192	8192	-
座面最大高度	30 mm	30 mm	30 mm	-
自我刷新	YES	YES	YES	-
最大压摆率	2.2 mA	2.32 mA	2.32 mA	-
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	-
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	-
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-
表面贴装	NO	NO	NO	-
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	-
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	-
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	-
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
宽度	3.18 mm	3.18 mm	3.18 mm	-

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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