HGTD6N120B3S,HGTD6N120B3S pdf中文资料,HGTD6N120B3S引脚图,HGTD6N120B3S电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> HGTD6N120B3S

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HGTD6N120B3S: 产品描述1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小23KB，共1页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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HGTD6N120B3S概述

1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA

HGTD6N120B3S规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SINGLE
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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