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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMKT5089M10BK
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CMKT5089M10BK

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小493KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMKT5089M10BK概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-6

CMKT5089M10BK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)400
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
Base Number Matches1

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CMKT5089M10
SURFACE MOUNT
DUAL NPN SILICON
MATCHED hFE TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKT5089M10
consists of two (2) individually isolated 5089
NPN silicon transistors with matched hFE. This
ULTRAmini™ device is manufactured by the epitaxial
planar process and epoxy molded in an SOT-363
surface mount package. The CMKT5089M10 has
been designed for applications requiring high gain
and low noise.
MARKING CODE: C9M0
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
UNITS
nA
nA
V
V
V
0.5
0.8
400
450
400
50
4.0
10
450
1800
2.0
MIN
0.9
MAX
1.0
5.0
dB
UNITS
mV
MHz
pF
pF
1200
V
V
SOT-363 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
30
25
4.5
50
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
ICBO
VCB=15V
50
IEBO
VEB=4.5V
100
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
hfe
NF
IC=100μA
IC=1.0mA
IE=100μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
VCE=5.0V, IC=0.1mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=500μA, f=20MHz
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=5.0V, IC=100μA, RS=1.0kΩ,
f=10Hz to 15.7kHz
MATCHING CHARACTERISTICS:
SYMBOL
TEST CONDITIONS
hFE1/hFE2 *
VCE=5.0V, IC=1.0mA
|
VBE1-VBE2
|
VCE=5.0V, IC=100μA
* The lowest hFE reading is taken as hFE1.
30
25
4.5
R4 (13-January 2010)

CMKT5089M10BK相似产品对比

CMKT5089M10BK CMKT5089M10TRLEADFREE CMKT5089M10LEADFREE CMKT5089M10TR
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-6 Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-6 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-6
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 , SOT-363, 6 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
最小直流电流增益 (hFE) 400 400 400 400
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W
表面贴装 YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1
针数 6 - 6 6
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE - LOW NOISE LOW NOISE
集电极-发射极最大电压 25 V - 25 V 25 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS - SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 - R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3 - e3 e3
湿度敏感等级 1 - 1 1
元件数量 2 - 2 2
端子数量 6 - 6 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
端子面层 Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON

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