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UPA503T

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小47KB,共4页
制造商NEC(日电)
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UPA503T概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

UPA503T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (ID)0.1 A
最大漏源导通电阻100 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G5
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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