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GS8662Q18E-167

产品描述Standard SRAM, 4MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
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文件大小1MB,共34页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8662Q18E-167概述

Standard SRAM, 4MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

GS8662Q18E-167规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间0.5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度17 mm
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15 mm
Base Number Matches1

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GS8662Q08/09/18/36E-278/250/200/167
165-Bump BGA
Commercial Temp
Industrial Temp
Features
• Simultaneous Read and Write SigmaQuad™ Interface
• JEDEC-standard pinout and package
• Dual Double Data Rate interface
• Byte Write controls sampled at data-in time
• Burst of 2 Read and Write
• 1.8 V +100/–100 mV core power supply
• 1.5 V or 1.8 V HSTL Interface
• Pipelined read operation
• Fully coherent read and write pipelines
• ZQ pin for programmable output drive strength
• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan
• Pin-compatible with present 9Mb, 18Mb, and 36Mb and
future 144Mb devices
• 165-bump, 15 mm x 17 mm, 1 mm bump pitch BGA package
• RoHS-compliant 165-bump BGA package available
72Mb SigmaQuad-II
Burst of 2 SRAM
Clocking and Addressing Schemes
278 MHz–167 MHz
1.8 V V
DD
1.8 V and 1.5 V I/O
SigmaQuad™ Family Overview
The GSQ8662Q08/09/18/36E are built in compliance with
the SigmaQuad-II SRAM pinout standard for Separate I/O
synchronous SRAMs. They are 75,497,472-bit (72Mb)
SRAMs. The GSQ8662Q08/09/18/36E SigmaQuad SRAMs
are just one element in a family of low power, low voltage
HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to
implement economical high performance networking systems.
me
nd
ed
for
-278
Ne
w
Parameter Synopsis
-250
4.0 ns
0.45 ns
-200
5.0 ns
0.45 ns
-167
6.0 ns
0.5 ns
tKHKH
3.6 ns
tKHQV
0.45 ns
Rev: 1.09a 11/2011
No
t
Re
co
m
.
1/34
De
sig
n—
Di
sco
nt
inu
ed
Pr
od
u
The GSQ8662Q08/09/18/36E SigmaQuad-II SRAMs are
synchronous devices. They employ two input register clock
inputs, K and K. K and K are independent single-ended clock
inputs, not differential inputs to a single differential clock input
buffer. The device also allows the user to manipulate the
output register clock inputs quasi independently with the C and
C clock inputs. C and C are also independent single-ended
clock inputs, not differential inputs. If the C clocks are tied
high, the K clocks are routed internally to fire the output
registers instead.
Each internal read and write operation in a SigmaQuad-II B2
RAM is two times wider than the device I/O bus. An input data
bus de-multiplexer is used to accumulate incoming data before
it is simultaneously written to the memory array. An output
data multiplexer is used to capture the data produced from a
single memory array read and then route it to the appropriate
output drivers as needed. Therefore the address field of a
SigmaQuad-II B2 RAM is always one address pin less than the
advertised index depth (e.g., the 8M x 8 has an 4M addressable
index).
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
ct
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