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UFZTA92

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小24KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
标准
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UFZTA92概述

Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

UFZTA92规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码SOT-223
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
Base Number Matches1

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SOT223 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 2 – JANUARY 1996
7
FEATURES
* High breakdown voltage
APPLICATIONS
* Suitable for video output stages in TV sets
and switch mode power supplies
COMPLIMENTARY TYPE –
PARTMARKING DETAIL –
FZTA42
DEVICE TYPE IN FULL
FZTA92
C
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Base Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
MIN.
-300
-300
-5
-0.25
-0.1
-0.5
-0.9
25
40
25
50
6
MHz
pF
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
B
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
TYP.
MAX.
VALUE
-300
-300
-5
-100
-500
2
-55 to +150
UNIT
V
V
V
µ
A
µ
A
UNIT
V
V
V
mA
mA
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
CONDITIONS.
I
C
=-100
µ
A, I
E
=0
I
C
=-1mA, I
B
=0*
I
E
=-100
µ
A, I
C
=0
V
CB
=-200V, I
E
=0
V
EB
=-3V, I
C
=0
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-30mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-20V
f=20MHz
V
CB
=-20V, f=1MHz
Emitter Cut-Off Current I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
V
Static Forward Current h
FE
Transfer Ratio
Transition
Frequency
Output Capacitance
f
T
C
obo
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
2%
For typical characteristics graphs see FMMTA92 datasheet.
3 - 305

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描述 Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN
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零件包装代码 SOT-223
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数 4
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.5 A
集电极-发射极最大电压 300 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25
JESD-30 代码 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
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