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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UFMMTA92
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UFMMTA92

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小70KB，共2页
制造商Diodes Incorporated
标准
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UFMMTA92概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

UFMMTA92规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
参考标准CECC50002-245
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
Base Number Matches1

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SOT23 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 4 - MARCH 2001
✪
PARTMARKING DETAILS:
– FMMTA92 - 4E
– FMMTA92R - 8E
FMMTA92
E
C
B
COMPLEMENTARY TYPES:
–
FMMTA92 - FMMTA42
SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
= 25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
FMMTA92
-300
-300
-5
-200
330
-55 to +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
FMMTA92
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
Emitter-Base Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off
Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Saturation
Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
Transition Frequency
Output Capacitance
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
h
FE
25
40
25
50
6
MHz
pF
MIN.
-300
-300
-5
-0.25
-0.1
-0.5
-0.9
MAX.
UNIT
V
V
V
CONDITIONS.
I
C
=-100
µ
A, I
E
=0
I
C
=-1mA, I
B
=0*
I
E
=-100
µ
A, I
C
=0
V
CB
=-200V, I
E
=0
V
CB
=-160V, I
E
=0-
V
EB
=-3V, I
E
=0
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
I
C
=-1mA, V
CE
=10V*
I
C
=-10mA, V
CE
=10V*
I
C
=-30mA,V
CE
=-10V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-20V
f=20MHz
V
CB
=-20V, f=1MHz
µ
A
µ
A
µ
A
V
V
f
T
C
obo
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
TBA

UFMMTA92相似产品对比

UFMMTA92 FMMTA92R UFMMTA92R
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 300 V 300 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25 25
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260
极性/信道类型 PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) MATTE TIN Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 10 40
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz 50 MHz
Base Number Matches 1 1 1
是否Rohs认证 符合 - 符合
最高工作温度 - 150 °C 150 °C

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