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HUF76132SK8T

产品描述11.5A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA, SO-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小392KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HUF76132SK8T概述

11.5A, 30V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA, SO-8

HUF76132SK8T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码SOIC
包装说明SO-8
针数8
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)11.5 A
最大漏极电流 (ID)11.5 A
最大漏源导通电阻0.015 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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