Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Harris |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 40 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | SINGLE |
最大降落时间(tf) | 400 ns |
门极发射器阈值电压最大值 | 7.5 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JEDEC-95代码 | TO-247 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 164 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大上升时间(tr) | 40 ns |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 390 ns |
标称接通时间 (ton) | 34 ns |
Base Number Matches | 1 |
HGTG20N60C3R | HGTP20N60C3R | |
---|---|---|
描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Harris | Harris |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING | LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 40 A | 40 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V | 600 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最大降落时间(tf) | 400 ns | 400 ns |
门极发射器阈值电压最大值 | 7.5 V | 7.5 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V | 20 V |
JEDEC-95代码 | TO-247 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 164 W | 164 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大上升时间(tr) | 40 ns | 40 ns |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 390 ns | 390 ns |
标称接通时间 (ton) | 34 ns | 34 ns |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved