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HGTG20N60C3R

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小108KB,共6页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HGTG20N60C3R概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

HGTG20N60C3R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)400 ns
门极发射器阈值电压最大值7.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)164 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)40 ns
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)390 ns
标称接通时间 (ton)34 ns
Base Number Matches1

HGTG20N60C3R相似产品对比

HGTG20N60C3R HGTP20N60C3R
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Harris Harris
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 40 A 40 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE SINGLE
最大降落时间(tf) 400 ns 400 ns
门极发射器阈值电压最大值 7.5 V 7.5 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V
JEDEC-95代码 TO-247 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 164 W 164 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大上升时间(tr) 40 ns 40 ns
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 390 ns 390 ns
标称接通时间 (ton) 34 ns 34 ns

 
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