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HB56G19GB-6A

产品描述Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30
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文件大小308KB,共12页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56G19GB-6A概述

Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30

HB56G19GB-6A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SIMM
包装说明SIMM, SIM30
针数30
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N30
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量30
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX9
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SIM30
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度12.7 mm
最大待机电流0.003 A
最大压摆率0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
Base Number Matches1
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