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TN6345PM: 产品描述10 MHz - 1100 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, SM3, 4 PIN; 产品类别无线/射频/通信射频和微波; 文件大小100KB，共1页; 制造商Spectrum Microwave

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TN6345PM概述

10 MHz - 1100 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, SM3, 4 PIN

TN6345PM规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Spectrum Microwave
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM
构造	COMPONENT
增益	10.5 dB
最大输入功率 (CW)	13 dBm
最大工作频率	1100 MHz
最小工作频率	10 MHz
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-55 °C
射频/微波设备类型	WIDE BAND LOW POWER
最大电压驻波比	2
Base Number Matches	1

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RF AMPLIFIER

MODEL

TM6345PM

Features

Superior Phase Noise Performance

Output Power: +17 dBm Typical

Low Noise Figure: 2.5 dB Typical

Operating Temp. - 55 ºC

to +85

ºC

Environmental Screening Available

Available as:

TM6345PM, 4 Pin TO-8 (T4)

TN6345PM, 4 Pin Surface Mount (SM3)

FP6345PM, 4 Pin Flatpack (FP4)

BX6345PM, Connectorized Housing (H1)

Typical Intermodulation Performance at 25 º C

Second Order Harmonic Intercept Point ...... +54 dBm (Typ.)

Second Order Two Tone Intercept Point ....... +46 dBm (Typ.)

Third Order Two Tone Intercept Point ........... +33 dBm (Typ.)

Maximum Ratings

MIN/MAX

Ta = -55 ºC to +85 ºC

10-1100 MHz

10.5

+15.0 Min.

- 12 Max.

2.0:1 Max.

4.0 Max.

+15

48 Max.

Specifications

CHARACTERISTIC

Frequency (MHz)

Gain (dB)

Power @ 1 dB

Comp. (dBm)

Reverse

Isolation (dB)

VSWR

Out

Noise figure (dB)

Power

Vdc

TYPICAL

Ta= 25 ºC

10-1100 MHz

12.3

+17.0

- 13.5

1.5:1

1.75:1

<3.0

+15

Ambient Operating Temperature .............. -55ºC to + 100 ºC

Storage Temperature ............................... -62ºC to + 125 ºC

Case Temperature ................................................. + 125 ºC

DC Voltage ......................................................... + 18 Volts

Continuous RF Input Power ................................. + 13 dBm

Short Term RF Input Power ............. 50 mW (1 Minute Max.)

Maximum Peak Power .................... 0.5 Watt (3

µsec

Max.)

Guaranteed Phase Noise Performance

(dBc/Hz)

Frequency

100 Hz

1 kHz

10 kHz

100 kHz

1 MHz

Typical

-160

-172

-175

Guarantee (min.)

-156

-168

-170

-172

Note: Care should always be taken to effectively ground the case of each unit.

Typical Performance Data

Gain (dB)

Reverse Isolation (dB)

Phase Noise (dBc/Hz)

1 dB Comp. (dBm)

Noise Figure (dB)

Input VSWR

Output VSWR

Residual Phase Noise Test Conditions:

Carrier Frequency: 600 MHz

Power Output +17.0 dBm

Temperature: 25

Agilent ES5500 System

Legend

+ 25 ºC

+ 85 ºC - - - - - - -55 ºC

2707 Black Lake Place, Philadelphia, PA 19154

TEL 215-464-4000

· · · ·

FAX 215-464-4001

3/31/04

TN6345PM相似产品对比

	TN6345PM	BX6345PM	TM6345PM	FP6345PM
描述	10 MHz - 1100 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, SM3, 4 PIN	10 MHz - 1100 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, H1	10MHz - 1100MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, T4, TO-8, 4 PIN	10 MHz - 1100 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, FP-4
厂商名称	Spectrum Microwave	Spectrum Microwave	Spectrum Microwave	Spectrum Microwave
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM	I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM	I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM	I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM
构造	COMPONENT	COAXIAL	COMPONENT	COMPONENT
增益	10.5 dB	10.5 dB	10.5 dB	10.5 dB
最大输入功率 (CW)	13 dBm	13 dBm	13 dBm	13 dBm
最大工作频率	1100 MHz	1100 MHz	1100 MHz	1100 MHz
最小工作频率	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
射频/微波设备类型	WIDE BAND LOW POWER	WIDE BAND LOW POWER	WIDE BAND LOW POWER	WIDE BAND LOW POWER
最大电压驻波比	2	2	2	2

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