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MURF1020CT

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小245KB,共4页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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MURF1020CT概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

MURF1020CT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MURF1020CT
Technical Data
Data Sheet N0345, Rev. A
MURF1020CT ULTRAFAST RECTIFIER
Features
Ultra-Fast Switching
High Current Capability
Low Reverse Leakage Current
High Surge Current Capability
Plastic Material has UL Flammability Classification 94V-O
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
ITO-220AB
Additional testing can be offered upon request
Circuit Diagram
Applications
Switching Power Supply
Power Switching Circuits
General Purpose
Maximum Ratings:
Characteristics
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current
Peak One Cycle Non-Repetitive Surge
Current(Per Leg)
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F (AV)
I
FSM
Condition
-
50% duty cycle @Tc=100°C,
rectangular wave form
8.3ms, Half Sine pulse
Max.
200
5(Per Leg)
10(Per Device)
80
Units
V
A
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Forward Voltage Drop(Per Leg)*
Reverse Current(Per Leg)*
Reverse Recovery Time(Per Leg)
RSM Isolation Voltage
(t=1.0 second,R.H.<
=30%,
T
A
=25C)
Symbol
V
F1
V
F2
I
R1
I
R2
t
rr
Condition
@ 10A, Pulse, T
J
= 25C
@ 10A, Pulse, T
J
= 100C
@V
R
= rated V
R
T
J
= 25C
@V
R
= rated V
R
T
J
= 100C
I
F
=500mA, I
R
=1A,and I
rm
=250mA
Clip mouting, the epoxy body away
from the heatsink edge by more than
0.110”along the lead direction.
Clip mouting, the epoxy body is
inside the heatsink
Screw mounting, the epoxy body is
inside the heatsink
Typ.
1.0
-
0.01
-
30
-
-
-
Max.
1.2
1.0
10
100
35
4500
3500
1500
V
Units
V
V
μA
μA
ns
V
1so
* Pulse width < 300 µs, duty cycle < 2%
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com
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