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MT58LC64K32D8LG-10

产品描述Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100
产品类别存储    存储   
文件大小242KB,共18页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT58LC64K32D8LG-10概述

Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100

MT58LC64K32D8LG-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码QFP
包装说明MS-026, TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间5 ns
其他特性BURST CONTROL; SELF TIMED WRITE CYCLE; REGISTER ADDRESS; BYTE WRITE CONTROL; AUTOMATIC POWER DOWN
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度32
功能数量1
端子数量100
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)235
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

MT58LC64K32D8LG-10相似产品对比

MT58LC64K32D8LG-10 MT58LC128K18D8LG-11 MT58LC128K18D8LG-10 MT58LC64K36D8LG-10 MT58LC64K32D8LG-11 MT58LC64K36D8LG-11 MT58LC64K36D8LG-15 MT58LC128K18D8LG-15
描述 Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100 Cache SRAM, 128KX18, 6ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100 Cache SRAM, 128KX18, 5ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100 Cache SRAM, 64KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100 Cache SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100 Cache SRAM, 64KX36, 6ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100 Cache SRAM, 64KX36, 7ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100 Cache SRAM, 128KX18, 7ns, CMOS, PQFP100, MS-026, TQFP-100
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 MS-026, TQFP-100 MS-026, TQFP-100 MS-026, TQFP-100 MS-026, TQFP-100 MS-026, TQFP-100 MS-026, TQFP-100 MS-026, TQFP-100 MS-026, TQFP-100
针数 100 100 100 100 100 100 100 100
Reach Compliance Code not_compliant _compli not_compliant unknown not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 5 ns 6 ns 5 ns 5 ns 6 ns 6 ns 7 ns 7 ns
其他特性 BURST CONTROL; SELF TIMED WRITE CYCLE; REGISTER ADDRESS; BYTE WRITE CONTROL; AUTOMATIC POWER DOWN BURST CONTROL; SELF TIMED WRITE CYCLE; REGISTER ADDRESS; BYTE WRITE CONTROL; AUTOMATIC POWER DOWN BURST CONTROL; SELF TIMED WRITE CYCLE; REGISTER ADDRESS; BYTE WRITE CONTROL; AUTOMATIC POWER DOWN BURST CONTROL; SELF TIMED WRITE CYCLE; REGISTER ADDRESS; BYTE WRITE CONTROL; AUTOMATIC POWER DOWN BURST CONTROL; SELF TIMED WRITE CYCLE; REGISTER ADDRESS; BYTE WRITE CONTROL; AUTOMATIC POWER DOWN BURST CONTROL; SELF TIMED WRITE CYCLE; REGISTER ADDRESS; BYTE WRITE CONTROL; AUTOMATIC POWER DOWN BURST CONTROL; SELF TIMED WRITE CYCLE; REGISTER ADDRESS; BYTE WRITE CONTROL; AUTOMATIC POWER DOWN BURST CONTROL; SELF TIMED WRITE CYCLE; REGISTER ADDRESS; BYTE WRITE CONTROL; AUTOMATIC POWER DOWN
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 90 MHz 100 MHz 100 MHz 90 MHz 90 MHz 66 MHz 66 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 2097152 bit 2359296 bi 2359296 bit 2359296 bit 2097152 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 32 18 18 36 32 36 36 18
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 100 100 100 100 100 100
字数 65536 words 131072 words 131072 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 131072 words
字数代码 64000 128000 128000 64000 64000 64000 64000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX32 128KX18 128KX18 64KX36 64KX32 64KX36 64KX36 128KX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP
封装等效代码 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.3 mA 0.25 mA 0.3 mA 0.3 mA 0.25 mA 0.25 mA 0.2 mA 0.2 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
厂商名称 Micron Technology Micron Technology - Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
峰值回流温度(摄氏度) 235 - - 235 235 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 235
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - - 30 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30

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