AS7C331MPFS36A-167TQIN,AS7C331MPFS36A-167TQIN pdf中文资料,AS7C331MPFS36A-167TQIN引脚图,AS7C331MPFS36A-167TQIN电路-Datasheet-电子工程世界

AS7C331MPFS36A-167TQIN: 产品描述Standard SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小583KB，共23页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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AS7C331MPFS36A-167TQIN概述

Standard SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP,
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e3
长度	20 mm
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	100
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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