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ESD7382MUT5G: 产品描述Micro−Packaged Diodes for ESD Protection, 10000-REEL; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小217KB，共6页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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ESD7382MUT5G概述

Micro−Packaged Diodes for ESD Protection, 10000-REEL

参数名称	属性值
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
包装说明	R-PBCC-N2
制造商包装代码	152AF
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, ULTRA LOW CAPACITANCE
最小击穿电压	5.2 V
最大钳位电压	10 V
配置	SINGLE
最小二极管电容	0.55 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PBCC-N2
JESD-609代码	e4
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.25 W
参考标准	IEC-61000-4-2, 4-5
最大重复峰值反向电压	5 V
最大反向电流	1 µA
反向测试电压	5 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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